Atomic scale properties of interior interfaces of semiconductor heterostructures as determined by quasi-digital highly selective etching and atomic force microscopy

Rettig, Rasmus; Stolz, Wolfgang

doi:10.1016/S1386-9477(98)00058-7

Verlagslink DOI:	10.1016/S1386-9477(98)00058-7
Titel:	Atomic scale properties of interior interfaces of semiconductor heterostructures as determined by quasi-digital highly selective etching and atomic force microscopy
Sprache:
Autorenschaft:	Rettig, Rasmus Stolz, Wolfgang
Schlagwörter:	Atomic force microscopy; Etching; Heterostructures; Interfaces; Semiconductors
Erscheinungsdatum:	15-Jul-1998
Verlag:	Elsevier
Zeitschrift oder Schriftenreihe:	Physica. E, Low-dimensional systems & nanostructures
Zeitschriftenband:	2
Zeitschriftenausgabe:	1-4
Anfangsseite:	277
Endseite:	281
URI:	http://hdl.handle.net/20.500.12738/11975
ISSN:	1386-9477
Einrichtung:	Philipps-Universität Marburg Philipps-Universität Marburg. Fachbereich Physik
Dokumenttyp:	Zeitschriftenbeitrag
Enthalten in den Sammlungen:	Publications without full text